硅晶体管/锗晶体管/半导体晶体管/高压晶体管/多栅极晶体管/晶体管逆变器专利技术4

1. 一种用于推动CMOS晶体管I/O的偏置器
2. 晶体管耦合电路
3. 采用晶体管加热的家用酸奶器
4. 晶体管直接控制电容器电流型静止无功补偿装置
5. 晶体管阻抗变换器
6. 制造低温多晶硅晶体管的多晶硅的组合设备工具
7. 功率晶体管及使用它的半导体集成电路
8. 晶体管器件及其制造方法
9. 具有形成于脊上的选择性晶体管的集成半导体存储器
10. 缩小化晶体管数组布局的方法及结构
11. 具有抬升的源极和漏极结构的金氧半晶体管及其制造方法
12. 晶体管、集成电路、电光装置、电子设备及其制造方法
13. 对比和反应速度增进的多域垂直配向晶体管液晶显示器
14. 晶体管控制纳米管场发射显示阵列及其实现方法
15. 一种晶体管的制造工艺
16. 具有源极端选择晶体管的嵌入式闪存
17. 晶体管自适应阻抗变换器
18. 集成的金属-绝缘体-金属电容器和金属栅晶体管及方法
19. 具有多重栅极及应变的沟道层的晶体管及其制造方法
20. 多栅极晶体管的结构及其制造方法
21. 超线性晶体管功放
22. 半导体结构及形成具有缩小间距的晶体管的方法
23. 电学感应源漏扩展区MOS晶体管及其制作方法
24. 具有垂直型晶体管与沟槽电容器的存储器装置的制造方法
25. 具有III/VI族发射极的晶体管
26. 高电子迁移率晶体管的纳米T型栅的制作方法
27. 背栅MOS晶体管及其制作方法和静态随机存储器
28. 一种纳米晶体管的制备方法
29. 横向晶体管
30. 包括单独的抗穿通层的晶体管结构及其形成方法
31. 测量金属氧化半导体晶体管的栅极通道长度的方法
32. 采用单个晶体管的高密度半导体存储器单元和存储器阵列
33. 基于晶体管栅氧化层击穿特性的可编程门阵列
34. 一种半导体晶体管的制造方法及其产品
35. 降低绝缘体上的硅晶体管源漏串联电阻的结构及实现方法
36. 一种高反压低负阻硅晶体管的制造方法
37. 铁电存储晶体管及其形成方法
38. 金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
39. 具有磊晶基极双载子连接晶体管的自对准制造方法与结构
40. 晶体管阵列和有源矩阵基板
41. 制作栅极和金属氧化物半导体晶体管的方法
42. MOS晶体管组件
43. 内部多个晶体管工作特性各不相同的显示装置
44. 使用具有多晶半导体层的晶体管的图象显示装置
45. 光控晶体管的制造方法及其结构
46. 具有保护层和低损凹槽的氮化物基晶体管及其制造方法
47. 在其隧穿层中具有量子点的晶体管
48. 具有分割阱结构的隔离高压LDMOS晶体管
49. 形成具有不同高度的升高的漏极与源极区域的晶体管的先进方法
50. 用于MOS晶体管的栅电极
51. 制造具有独立栅极结构的晶体管的方法
52. 高频切换晶体管
53. 晶体管结构、存储单元及其阵列、及存储器制造方法
54. 用于功率转换器的高侧晶体管驱动器
55. 具有单层多晶硅的镜像非易失性存储器单元晶体管对
56. 具有抬高的源极/漏极结构的MOS晶体管及其制造方法
57. 在晶体管栅极结构上使用抗蚀刻衬里的方法和结构
58. 晶体管制造方法和电光装置以及电子仪器
59. 具有凸起的结区域的PMOS晶体管
60. 单级晶体管与反熔丝串联接入电源间的反熔丝编程电路
61. 具晶体管及导线的集成半导体电路
62. 具有三个电气隔离的电极的晶体管及形成方法
63. 金属氧化物半导体晶体管的制造方法
64. 随机存取存储单元/四晶体管随机存取存储单元及存储装置
65. 应变半导体CMOS晶体管的制造结构和方法
66. 有机半导体晶体管元件
67. 绝缘栅型晶体管以及逆变器电路
68. 金属氧化物半导体晶体管的形成方法
69. 自旋晶体管
70. 于晶体管工艺中整合高K栅极电介质的方法
71. 形成具有集成的金属硅化物栅电极的晶体管的方法
72. 铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法
73. 三维互补金属氧化物半导体晶体管的制备方法
74. 低泄漏异质结垂直晶体管及其高性能器件
75. 带有自定向发射极的磁沟道晶体管的制备方法和装置
76. 简化晶体管结构的主动式像素传感器及图像传感模块
77. 具有金属硅化物的金属氧化物半导体晶体管元件与其工艺
78. 施主薄片及其制造方法、及制造晶体管和显示器的方法
79. 控制功率放大器晶体管工作点的方法
80. 金属氧化物半导体晶体管的制造方法以及存储器元件的制造方法
81. 提高氮化镓基高电子迁移率晶体管性能的结构及制作方法
82. 晶体管集成电路装置及其制造方法
83. 单一晶体管平面随机存取存储单元与其形成方法
84. 高击穿电压MOS晶体管的结构及其制造方法
85. 具超浅结面漏极/源极延伸的半导体晶体管元件制作方法
86. 具有隔离结构的高电压LDMOS晶体管
87. 改善氮化镓基高电子迁移率晶体管栅极肖特基性能的结构
88. 金属氧化物半导体晶体管元件的制造方法
89. 晶体管测试仪
90. 双异质结构氮化镓基高电子迁移率晶体管结构及制作方法
91. 垂直传输晶体管DRAM单元中自对准的漏极/沟道结
92. 金属硅化栅极的形成方法及具有金属硅化栅极的晶体管
93. 一种配对晶体管及其制造方法
94. 金属-绝缘体转换开关晶体管及其制造方法
95. 垂直DMOS晶体管装置、集成电路及其制造方法
96. 集成电路元件与晶体管元件以及微电子元件及其制造方法
97. 硅化金属栅极晶体管的结构和方法
98. 采用输入控制零阈值阻塞晶体管的电平转接器
99. 液晶显示器及其制作方法及其晶体管数组基板及制作方法
100. 非混合型的互补型金氧半晶体管播放机马达驱动电路
101. 栅极结构及包含此结构的金氧半晶体管结构及其制造方法
102. 一种双栅金属氧化物半导体晶体管的结构及其制备方法
103. 高击穿电压的高电子迁移率晶体管
104. 绝缘层上有硅芯片的鳍状元件及应用它的单一晶体管静态随机存取内存
105. 具有导体材料层的晶体管栅电极
106. 包括具有掺杂部分的沉积沟道区的晶体管
107. 沟道区中具有硅和碳层的晶体管
108. 用于CMOS的应变晶体管集成
109. 用于形成SOI体接触晶体管的方法和设备
110. LDMOS晶体管
111. 具有场板的宽能带隙晶体管装置
112. 具有应变沟道CMOS晶体管的结构及其制造方法
113. 使用了具有自旋相关转移特性的晶体管的可再构成的逻辑电路
114. 集成电路晶体管与其形成方法
115. 改变膜结构的氧化方法和以之形成的CMOS晶体管结构
116. 输出MOS晶体管的过电压保护电路
117. 金属氧化物半导体晶体管的制造方法
118. 以部分空乏与完全空乏晶体管建构的静态存储元件
119. 制造非挥发性存储器晶体管的方法
120. 具有一分开井结构的隔离的高电压LDMOS晶体管
121. 形成具有完全硅化结构的半导体组件及晶体管的方法
122. 发光闸流晶体管及自扫描型发光装置
123. 氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法
124. 半导体组件、累积模式多重栅晶体管及其制造方法
125. 制造具有不同类型的晶体管的器件的方法
126. 微型倒装晶体管的制造方法
127. 包括每个有浮动栅和控制栅极的MOS晶体管的半导体存储器
128. 具有一隔离结构的高电压LDMOS晶体管
129. 设有浮置扩散栅电容的四晶体管CMOS图像传感器
130. 包括LDMOS晶体管的电子器件
131. 垂直的纳米晶体管,其制造方法和存储器结构
132. 垂直的纳米晶体管,用于其制造的方法和存储结构
133. 用于非易失性存储器中的基准晶体管的可变栅偏置
134. 具有多晶硅浮动隔离层的镜像存储单元晶体管对
135. 体接触SOI晶体管及其制备方法
136. 具有自旋相关转移特性的隧道晶体管及使用了它的非易失性存储器
137. 电路布置和晶体管控制方法
138. 晶体管控制的显示器件
139. 集成电路晶体管
140. 单一晶体管平面随机存取存储单元
141. 有源嵌位驱动电路及其反向功率晶体管保护电路
142. 以部分空乏与完全空乏晶体管建构的静态存储元件
143. 栅极结构及包含此结构的金氧半晶体管结构
144. 短路保护装置及晶体管点火器
145. 多栅极晶体管的结构
146. 多重栅极晶体管
147. 四晶体管随机存取存储单元
148. 具有多重栅极晶体管的静态随机存取存储单元
149. 具有多重栅极及应变的沟道层的晶体管
150. 具有晶格不相称区的应变沟道晶体管结构
151. 晶体管开关电源
152. 微型倒装晶体管
153. CMOS图像传感器、复位晶体管控制电路和电压切换电路 
154. 一种双极型多晶发射极超高频纵向晶体管的制造方法
155. 具有栅极电介质结构易失性存储器的晶体管及其制造方法
156. 具有锗沟道区域的非平面晶体管及其制备方法
157. 一种双极型纵向平面式晶体管的制造方法
158. 制作半导体晶体管元件的方法
159. 对换流器的开关晶体管采用保护电路的电子镇流器
160. 高效晶体管结构
161. 一种磁致电阻晶体管
162. 晶体管器件
163. 基于双势垒隧道结共振隧穿效应的晶体管
164. 具有横向漂移区掺杂剂分布的DMOS晶体管的制造方法
165. 晶体管基板与显示装置及其制造方法
166. 具有选择晶体管的电可擦可编程只读存储器及其制造方法
167. 在晶体管的有源区域分两次形成硅化物的工艺
168. 一种改进的具有多个栅极氧化层的晶体管及其制造方法
169. 多重栅极晶体管与其形成方法及形成一半导体组件的方法
170. 垂直金属氧化物半导体晶体管
171. 包括基准电流源晶体管的数字模拟转换器电路及操作方法
172. 驱动晶体管的方法、驱动元件以及显示板和显示设备
173. 具有三维沟道的金属氧化物半导体（MOS）晶体管及其制造方法
174. 具有网型栅极电极的MOS晶体管
175. 使用负向到正向电压摆动转换晶体管的主动式像素单元
176. 垂直双沟道绝缘硅晶体管及其制造方法
177. 晶体管外形罐型光模块
178. 垂直MOS晶体管的制造方法
179. 晶体管外壳封装的光纤接收界面和方法
180. 半导体集成电路、电子机器及晶体管的背栅电位控制方法
181. 立式MOS晶体管
182. 使用互补金属氧化物半导体工艺制造双极性晶体管的方法
183. 晶体管交流电源净化电路
184. 自对准内栅凹陷沟道晶体管及其制造方法
185. 一种体硅MOS晶体管及其制作方法
186. 在源和漏区下面具有缓冲区的金属氧化物半导体(MOS)晶体管及其制造方法
187. 存储多位的晶体管以及制造包括它的半导体存储器的方法
188. 晶体管及其制造方法、电光装置、半导体器件及电子设备
189. 具有均化电容的高压和低导通电阻横向扩散金属氧化物半导体晶体管
190.用于通过减少自对准硅化物界面电阻改善晶体管性能的方法
191.具有可调栅极功函数的双金属CMOS晶体管以及其制法
192.具有共享控制栅极的非易失性晶体管对的制造方法
193.用于增强的晶体管驱动的电荷恢复
194.异质结构双极型晶体管
195.侧壁半导体晶体管及其制造方法
196.金属氧化物半导体晶体管及其制造方法
197.多栅晶体管及其制造方法
198.超高压金属氧化物半导体晶体管元件及其制造方法
199.通过在栅极和沟道中引起应变来增强CMOS晶体管性能的方法

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