提供专利,创业项目,投资项目,小本创业,技术培训,技术转让,致富项目,专利技术
北京实用技术网
您现在的位置:网站首页 >> 专利首页 >> 冶金矿产工业 >> 金属提炼回收 >> 内容

铟制备与回收及应用专利技术1

全套优惠价格:280元/套  购买其中单项技术:10元/项   【

    1、以下所有专利技术资料集成在一起提供(电子文档,可以打印)。★什么是专利全文,点击这里查看专利说明书样板!
    2、我们只提供专利技术资料的检索服务,不代表任何权利的转让。本站也不销售任何相关产品和设备,暂时也不提供市场方面的信息服务。
    3、专利技术资料均为国家专利全文说明书。含技术配方、加工工艺、质量标准、专利发明人、权利要求书、说明书附图等。
    4、交付方式:款到发货,即时发到您的电子邮箱中。汇款购买、联系方式

1. 磷化铟单晶片的抛光工艺
2. 等离子体滤波器氮化铟半导体薄膜
3. 铟增强的双极晶体管
4. 纳米氮化铟粉体的制备方法
5. 溶液三甲基铟源的制备方法
6. 坩埚下降法生长高居里点铌铟酸铅-钛酸铅单晶
7. 以水溶液法制备氧化铟锡粉末的方法
8. 从铟锡氧化物废料中提取精铟的方法
9. 金-铟金属互化物,由其形成的形状记忆合金及制品
10. 氧化铟中固溶锡的ITO粉末制造方法以及ITO靶的制造方法
11. 压敏粘结剂在焦平面器件铟珠制备中剥离多余铟层的用途
12. 银-锡铟复合氧化物电工触点材料及其制备工艺
13. 混合有机镓源选择区域生长铟镓砷磷多量子阱的方法
14. 铟锡氧化膜的制造方法
15. 氧化铟膜的形成方法、具有氧化铟膜的衬底及半导体元件
16. 铟系金属微粒及其制造方法、含铟系金属微粒的涂布液、带覆膜的基材及显示装置
17. 磷化铟基磷化铟/铟镓砷锑/磷化铟双异质结双极晶体管
18. 铟锡氧化物靶材的制备方法
19. 有机铟化合物
20. 铟镓砷光电探测器制造的开管锌扩散方法
21. ″′铟-博莱霉素复合物药盒的制备
22. 银氧化锡氧化铟电触点用线材及其生产工艺
23. 具有发光的原硼酸铟的阴极射线管
24. _具有倒台面支承结构的铟镓砷磷/铟磷隐埋条形质量输运激光器
25. 一种改进的锑化铟多元列阵器件工艺
26. 轴瓦内表面电刷涂镀铝锡铟的工艺方法
27. 制备铟-113m发生器的化学处理方法
28. 铟锡氧化物透明导电膜生产工艺
29. 从高铟铁溶液中回收铟的工艺
30. 弱酸金属盐,特别是甲酸铟的合成
31. 掺铟混晶锌扩散源
32. 掺铟铋钙钒石榴石单晶光隔离器
33. 砷化镓/磷化铟异质气相外延技术
34. 铟锡氧化物薄膜的腐蚀方法
35. 用于磁光记录的氧化锌或氧化铟基层的铂或钯/钴多层薄膜
36. 铟镓砷光电探测器
37. 铟镓砷光电探测器
38. 内部氧化的银-锡-铟合金电触点材料及制造方法
39. 铟镓砷光电探测器
40. 镓铟砷(GaInAs)横向光电晶体管及其集成技术
41. 含镓和/或铟的硫化砷锗玻璃
42. 含细分散的铋、镉、铟和/或铅的铝合金及其制备方法
43. 制造氧化铟/氧化锡烧结体的方法和用其制造的制品
44. 锑化铟薄膜的制造方法
45. 锑化铟霍尔元件的电极及其制造方法
46. 用铟锡氧化物制成的结构部件及其制造方法
47. 一种化合物半导体锑化铟薄膜真空蒸镀方法
48. 生产中子吸收元件的含有铟与镉的银基合金及其应用
49. 各种*铟-博莱霉素复合物(*In-BLMC)药盒的制备
50. 一种砷化铟、砷化镓的化学还原制备方法
51. 铟-锡-氧化物-模制体的制造方法
52. 基于碱土金属、硫和铝、镓或铟的化合物,其制备方法及其作为发光材料的使用
53. 氧化铟膜的形成方法,具有氧化铟膜的衬底及半导体元件
54. 氧化铟/氧化锡溅射靶材及其制造方法
55. N型磷化铟欧姆接触制造方法
56. 铁矾渣焙烧浸出萃取提铟的工艺
57. 纳米氧化铟介孔组装体系及其制备方法
58. 锑-铟系化合物半导体磁阻式电流传感器及电流传感方法
59. 铟镓氮单晶薄膜金属有机物气相外延生长技术
60. 生产有机氯化铟的方法
61. 粉末或烧结形式的LaMO3型化合物,其中M为铝、镓或铟,其制备方法及其作为氧导......
62. 通过去除衬底来制备铟铝镓氮光发射器
63. 磷化铟表面清洁方法
64. 晶片键合的铝镓铟氮结构
65. 高铟高铁锌精矿的铟、铁、银、锡等金属回收新工艺
66. 金属氧化铟锡复合透明导电薄膜及其制备方法
67. 铟锡氧化物薄膜溶胶-凝胶制备方法
68. 锡-铟合金电镀液及其制备方法
69. 铟锡氧化物的悬浮液和粉末的制备方法及其用途/
70. 高密度铟锡氧化物靶材及其制造方法
71. 掺铟钛酸锶材料及其制备方法
72. 掺铟钛酸钡材料及其制备方法
73. 铟、锡氧化物复合粉末的制备方法
74. 铟源试剂组合物
75. 氧化铟锡膜用浸蚀液
76. 无汞碱性锌锰电池负极集流体铜钉镀铟方法
77. 具有低开启电压的磷化铟肖特基装置及其制造方法
78. 产生铟离子束的装置与方法
79. 氮化铟镓发光二极管
80. 纳米氢氧化铟用于生产碱性电池的工艺
81. 铟锌氧化物基六万晶层状化合物
82. 铟镓氮薄膜的快速填埋生长方法
83. 铟锡氧化物溅射靶
84. 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法
85. 具有铟热偶的电子组件的构造方法及具有铟热偶的电子组件
86. 用于超高密度数据存储器件的铟的硫系化物、镓的硫系化物、和铟-镓硫系化物的相变介质
87. 具有低量金属杂质的含铟水溶液的制造方法
88. 铟锡氧化物溅射靶
89. 构图铟锡氧化物的蚀刻剂和制造液晶显示装置的方法
90. 高纯度铟化合物的制造方法及其应用
91. 图案化氧化铟锡薄膜的方法
92. 一种铟生产废水的处理方法
93. 一种铝锌铟系牺牲阳极材料
94. 一种太阳能电池用铜铟硒薄膜的制备方法
95. 铟矿中直接浸取铟的方法
96. 含铟粗铅中提取铟的生产方法
97. 一种制备铜铟硒薄膜太阳能电池富铟光吸收层的方法
98. P型GaN上镉铟氧透明电极及其制备方法
99. 包括铟和钠的卤化物的低压气体放电灯
100. 柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池及其制备方法
101. 平面型铟镓砷红外焦平面探测器及制备方法
102. 铟镓砷台面列阵探测器芯片的台面钝化膜及制备方法
103. 分离锌焙砂酸性浸出液中铟的方法
104. 一种氧化铟纳米线有序聚集体的制备方法
105. 锑化铟光电传感器阵列静态工作点自动校准装置
106. 从含铟物质中回收铟的方法
107. 特别用于溅射靶、管状阴极等的制造的基于铜-铟-镓合金的镀膜材料
108. 含铟金属的制造方法
109. 铟镓砷/铟铝砷耦合量子点红外探测器及其制备方法
110. 砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法
111. 一种制备铜铟氧化物纳米粉体的方法
112. 生长氮化铟单晶薄膜的方法
113. 磷化铟单晶的制造方法
114. 氧化锡铟靶,其制备方法和用其制备的透明电极
115. 单结铟镓氮太阳能电池结构及制作方法
116. 铜铟硫半导体纳米粒子的制备方法
117. 一种铜铟硫化合物薄膜的制备方法
118. 高纯硫酸铟的制备方法
119. 一种用于锂离子电池的硒化铟铜阳极材料及其制备方法
120. 在硅片上生长微米级块状结构的氧化铟薄膜的方法
121. 在半导体衬底上制备有序砷化铟量子点的方法
122. 背照射铟镓砷微台面线列或面阵探测器芯片及制备工艺
123. 包含含有铟的本征导电聚合物的组合物
124. 多元共蒸发制备铟镓锑类多晶薄膜的方法
125. 在柔性基底上制备致密铜铟硒薄膜的方法
126. 扣丝机自动点接铟网装置
127. 铟镓砷红外探测器
128. 掺铟铋钙钒石榴石单晶光隔离器
129. 高灵敏锑化铟磁敏电位器
130. 一种涂铟复合轧辊
131. 锑化铟薄膜的镀层结构
132. 平面磁控溅射氧化铟锡膜卷绕镀膜机
133. 锑-铟系化合物半导体磁阻式电流传感器
134. 锑-铟系半导体磁阻薄膜磁头
135. 有机电致发光显示面板铟锡氧化物电极的电化学蚀刻平坦化装置
136. 非晶系氮化铝铟镓发光二极管装置
137. 一种用于红外焦平面器件电极铟柱熔融处理装置
138. 具有中频反应溅射二氧化硅的氧化铟锡玻璃在线联镀装置
139. 铜铟镓和硒或硫化物太阳能电池
140. 将纳米含铟化合物用于生产碱性电池的工艺
141. 铌铟酸铅钛酸铅固溶体单晶的制备方法
142. 渐变带隙的铟镓砷材料的制备方法
143. 含铟晶片及其生产方法
144. 具铟锡氧化物画素电极的有机发光显示组件的制作方法
145. 铟锌合金真空蒸馏脱锌的方法
146. 在基片上生成光滑铟锡氧化物层的方法及一种基片铟锡氧化物覆层
147. 红外焦平面探测器的铟柱成球方法
148. 磷化铟和砷化镓材料的直接键合方法
149. 锡掺杂的氧化铟薄膜及微细图形制备工艺
150. 海绵铟真空处理法
151. 由富铟渣制备海绵铟的方法
152. 一种无损检测磷化铟与砷化镓基材料直接键合质量的方法
153. 有源区中含铟的垂直腔面发射激光器
154. 具有宽频谱的氮化铝铟镓发光二极管及固态白光器件
155. 含铟铅锑冶炼水淬渣综合处理新工艺
156. 高铟组分镓砷/铟镓砷量子阱结构及其制备方法
157. 热界面材料以及包括铟和锌的组合物
158. 一种电池铜针滚镀铟方法
159. 一种降低铟柱焊点应力的焦平面器件
160. 氧化铟薄膜材料及制备方法
161. 高铟高铁硫化锌精矿加压酸浸-溶剂萃取分离提铟新方法
162. 一种低品位锌精矿湿法冶炼提取锌、铟的方法
163. 一种纳米铟锡氧化物粉体的制备方法
164. 含铟水溶液的制备方法
165. 有机电致发光器件铟锡氧化物电极的处理方法
166. 用于MOSFET的铟-硼双盐注入
167. 锌铝氧化物陶瓷靶材表面背铟方法
168. 一种p型导电的掺铟氧化锡薄膜
169. 一种制备高纯铟的方法
170. 从铟锡氧化物废靶材中回收铟的方法
171. 高温退火非掺杂磷化铟制备半绝缘衬底的方法
172. 增进平坦化氧化铟锡薄膜的方法
173. 氧化铟锡粉末的制备方法
174. 一种用于半导体器件的铟锡氧化物pn结
175. 使集成电路可承受高压静电放电的氧化铟锡走线方法
176. 高温金属舟及其镀制掺锡氧化铟透明导电膜的方法
177. 一种氮和铟共掺杂制备空穴型氧化锌薄膜的方法
178. 磷化铟基光电子器件中楔形腔和平行腔结构实现方法
179. 铟锡氧化物的透明导电层状镀层
180. 氧化铜-氧化铟复合纳米晶材料的制备方法
181. 一种氧化铟锡专用银浆料及其制造方法
182. 以银氧化锌氧化铟为基础的电接触材料及其生产工艺
183. 铜铟镓的硒或硫化物半导体薄膜材料的制备方法
184. 无镉铜铟镓硒薄膜太阳能电池缓冲层薄膜的制备方法
185. 铝镓铟砷多量子阱超辐射发光二极管
186. 自组织砷化铟/砷化镓盘状量子点材料的制作方法
187. 在红外波段具有低发射率的氧化铟锡粉末及其制备方法
188. 利用铟镓氮发光二极管作为红外目标信号探测的成像装置
189. 一种生长高结晶氮化铟单晶外延膜的方法
190. 铟锡氧化物的溅镀工艺与形成铟锡氧化物层的方法
191. 电子束蒸发低温制备锡掺杂氧化铟ITO薄膜的方法
192. 氮化砷化镓铟系异质场效应晶体管及其制造方法和使用它的发送接收装置
193. 具有铟掺杂子区域的栅隔离区的半导体结构
194. 具有上下电极结构的铟镓铝氮发光器件及其制造方法
195. 炼铟废液回收处理后用作粘土增塑剂技术
196. 在硅衬底上制备铟镓铝氮薄膜及发光器件的方法
197. 生长高结晶质量氮化铟单晶外延膜的方法
198. 一种多孔磷化铟的电化学池及电化学腐蚀体系及方法
199. 含铟高铁硫化锌精矿加压酸浸-中和沉淀分离铟生产锌铟方法
200. 采用中频反应磁控溅射铟锡合金靶制备ITO膜的方法及系统
201. 铜铟镓硒或铜铟镓硫薄膜太阳能电池吸收层的制备方法
202. 用于铜铟镓硒薄膜太阳能电池的铜镓合金靶及其制备方法
203. 铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器及制作方法
204. 热稳定型及低电阻比氧化铟锡膜制法
205. 磷化铟基中红外波段量子级联激光器缓冲层及其制备方法
206. 磷化铟基量子级联激光器原子层尺度外延材料质量控制方法
207. 磷化铟基含砷含磷量子级联激光器结构及不间断生长法
208. 在硅衬底上制备高质量铟镓铝氮材料的方法

 
负责声明:我们只提供专利技术资料的检索服务,不代表任何权利的转让。本站也不销售任何相关产品和设备,暂时也不提供市场方面的信息服务。我站提供的专利技术全文资料仅供用于对行业技术先进性的了解、科学研究或实验。根据中国《专利法》第六十三条第四款:专为科学研究和实验而使用有关专利的,不视为侵犯专利权。用户若因此之外一切行为造成法律冲突或纠纷,本网概不负责!

相关文章
  • 没有相关文章
  • 关于我们 | 联系我们
  • 北京实用技术网 © 2018 版权所有 All Rights Reserved.
  • 电话:010-69088636 Email:jilide@163.com 站长QQ:1084244238
  • Powered by 北京实用技术网