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1. 用于冲洗光致抗蚀剂的稀释剂和处理光致抗蚀剂层的方法
2. 光致抗蚀剂残渣除去液组合物
3. 光致抗蚀剂显影液
4. 除去光致抗蚀剂的洗涤液
5. 短波长成像用光致抗蚀剂组合物
6. 光致抗蚀剂组合物及用其形成图案的方法
7. 光致抗蚀剂组合物及用该组合物形成图案的方法
8. 除去剩余光致抗蚀剂和残留侧壁钝化物的原位后蚀刻方法
9. 基于近红外分光计控制光致抗蚀剂剥离过程的方法和再生光致抗蚀剂剥离剂成分的方法
10. 酚醛清漆树脂溶液、正型光致抗蚀剂组合物及其调制方法
11. 用超临界二氧化碳工艺从半导体上去除光致抗蚀剂和光致抗蚀残留物
12. 光致抗蚀剂残渣除去液组合物
13. 复合光致抗蚀剂层结构
14. 1,2-萘醌-2-二叠氮磺酸酯光敏剂、制备该光敏剂的方法和光致抗蚀剂组合物
15. 形成光致抗蚀图形的方法
16. 薄膜器件工艺形成凹状光致抗蚀剂剥离外形的方法及器件
17. 正性光致抗蚀剂的显影方法和所用的组合物
18. 高反差正性光致抗蚀剂显影的方法
19. 用于供给光致抗蚀剂的系统
20. 负型光致抗蚀剂及形成光致抗蚀图的方法
21. 新的光致抗蚀剂共聚物
22. 高分辨率的正作用干膜光致抗蚀剂
23. 含N-乙烯基内酰胺衍生物的共聚物、其制法及光致抗蚀剂
24. 使用氟化氩光致抗蚀剂的方法和装置
25. 使用氟化氩光致抗蚀剂的方法和装置
26. 氨基彩色发色团的金属离子含量的降低及其用于合成光致抗蚀剂的低金属含量抗反射底涂层
27. 使用含聚合物的光致抗蚀剂的半导体装置及其制备方法
28. 共聚物树脂,其制备方法及用其制成的光致抗蚀剂
29. 光致抗蚀剂材料和用由其构成抗蚀图形的半导体装置制法
30. 一种液体光致抗蚀剂
31. 用于高感光的高分辨性I-谱线光致抗蚀剂的烷基磺酰肟化合物
32. 共聚物树脂,其制备方法及使用其制成的光致抗蚀剂
33. 用于光致抗蚀剂组合物的抗反射涂层
34. 用于短波长光的负型光致抗蚀剂组合物及其形成图像的方法
35. 金属氧化物/光致抗蚀膜积层体的干蚀刻方法
36. 用于光致抗蚀剂的交联剂及含该交联剂的光致抗蚀剂组合物
37. 用于光致抗蚀剂的交联剂及含该交联剂的光致抗蚀剂组合物
38. 用于光致抗蚀剂的交联单体，及使用其制备光致抗蚀剂聚合物的方法
39. 具有优异的抗后曝光延迟效应的光致抗蚀剂组合物
40. 新的酚类树脂和含有这种树脂的光致抗蚀剂组合物
41. 光致抗蚀剂单体,其共聚物和使用该共聚物的组合物
42. 半导体制造中防止由介质防反射层引起的光致抗蚀剂中毒
43. 加热干胶片及在干胶片上烘烤光致抗蚀剂膜的方法和设备
44. 包含双键的交联剂单体及含有此单体的光致抗蚀剂共聚物
45. 极微小光致抗蚀图形的形成方法
46. 光致抗蚀剂剥离液及剥离方法
47. 正型光致抗蚀剂组合物
48. 正型光致抗蚀剂组合物
49. 含有光碱产生剂与光酸产生剂的光致抗蚀剂组合物
50. 光致抗蚀图形的形成方法
51. 水溶性正性光致抗蚀组合物
52. 微石印用光致抗蚀剂、聚合物和工艺
53. 用于抗蚀剂流动工艺的光致抗蚀剂组合物以及使用所述组合物形成接触孔的方法
54. 包括含有内酯部分的环烯聚合物的光致抗蚀剂组合物
55. 正型光致抗蚀剂层及其使用方法
56. 酚/脂环的共聚物和光致抗蚀剂
57. 含不饱和键支链的共聚物及其光致抗蚀剂组合物
58. 带有光产酸剂的含光自由基产生剂的光致抗蚀剂组合物
59. 去除光致抗蚀剂后残留物质的清除方法
60. 光致抗蚀剂涂层的制备
61. 改善光致抗蚀剂图案侧边轮廓的方法
62. 用于光致抗蚀剂组合物的抗反射涂料
63. 光致抗蚀剂脱膜剂组合物
64. 用于光致抗蚀剂溶解液的消泡剂组合物
65. 形成厚膜用正型光致抗蚀剂组合物
66. 具有多个抗反射涂层的光致抗蚀剂的成像方法
67. 光致抗蚀剂用溶剂以及采用它的狭缝涂敷用光致抗蚀剂组合物
68. 使用光致抗蚀剂掩模的蚀刻
69. 适用于去除蚀刻后的光致抗蚀剂和底部抗反射涂层的组合物
70. 光致抗蚀剂组合物、其涂布方法及抗蚀剂图形的形成方法
71. 前段工序中用于清洁离子注入的光致抗蚀剂的组合物
72. 抑制电化腐蚀的非水光致抗蚀剂剥离剂
73. 用于清除蚀刻后和灰化的光致抗蚀剂残余物及大部分光致抗蚀剂的组合物
74. 用于蚀刻工艺的稳定的光致抗蚀剂结构
75. 光致抗蚀剂元件的形成方法
76. 移除光致抗蚀剂层的方法以及开口的形成方法
77. 光致抗蚀剂用聚合性化合物、其聚合物以及含有该聚合物的光致抗蚀剂组合物
78. 感光性树脂组合物，感光性元件，光致抗蚀图形的形成方法及印刷电路板的制造方法
79. 感光性树脂组合物、使用该组合物的感光性元件、光致抗蚀图形形成方法及印刷电路板制造方法
80. 去除光致抗蚀剂、蚀刻残余物的BARC的配制料
81. 含氧杂环丁烷的化合物、光致抗蚀剂组合物、制备图案的方法、以及喷墨打印头
82. 从微电子器件上清除离子注入光致抗蚀剂层的配方
83. 使用溶剂体系内的自组装单层除去高剂量离子注入光致抗蚀剂
84. 光致抗蚀剂显影液及使用该显影液的基板的制造方法
85. 杯间苯二酚芳烃化合物以及由其构成的光致抗蚀剂基材及其组合物
86. 用于厚膜成像的光致抗蚀剂组合物
87. 光致抗蚀剂的脱膜工艺及在该工艺中使用的第一组合物、第二组合物和脱膜剂水溶液
88. 光致酸生成剂、含它的光致抗蚀剂组合物及用其形成图案的方法
89. 光致抗蚀剂组合物、图案化薄膜的方法和制备液晶显示器面板的方法
90. 用于除去硬化的光致抗蚀剂、蚀刻后残留物和/或底部抗反射涂层的稠密流体组合物
91. 光致抗蚀剂掩膜形成方法
92. 正性光致抗蚀剂组合物、厚膜光致抗蚀剂层压材料、用于制备厚膜抗蚀剂图案的方法以及用于制备接线端子的方法
93. 半导体图案化光致抗蚀剂层的重作工艺
94. 光致抗蚀剂聚合物与含有该光致抗蚀剂聚合物的光致抗蚀剂化合物
95. 光致抗蚀剂剥离液组合物及使用光致抗蚀剂剥离液组合物的光致抗蚀剂的剥离方法
96. 光致抗蚀剂剥离液组合物及使用光致抗蚀剂剥离液组合物的光致抗蚀剂的剥离方法
97. 系统LCD制造用正型光致抗蚀剂组合物以及抗蚀图案的形成方法
98. 化学增幅型正型光致抗蚀剂组合物以及抗蚀图案的形成方法
99. 化学增幅型正型光致抗蚀剂组合物以及抗蚀图案的形成方法
100. 采用光致抗蚀剂形成均匀的特征的方法
101. 排出喷嘴式涂布法用正型光致抗蚀剂组合物以及抗蚀图案的形成方法
102. 光致抗蚀剂聚合物及包含其的光致抗蚀剂组合物
103. 排出喷嘴式涂敷法用正型光致抗蚀剂组合物以及抗蚀图案的形成方法
104. 具有高耐热性的光致抗蚀剂组合物
105. 用于光致抗蚀的保护涂层组合物和用其形成光致抗蚀图案的方法
106. 系统LCD制造用正型光致抗蚀剂组合物以及抗蚀图案的形成方法
107. 含有环氧基团和查耳酮基团的化合物及其制备方法以及含有该化合物的光致抗蚀剂
108. 光致抗蚀剂处理方法
109. 高分子化合物、光致抗蚀剂材料及图案形成方法
110. 高分子化合物、光致抗蚀剂材料及图案形成方法
111. 光致抗蚀剂用显影液
112. 光致抗蚀剂用显影液
113. 光致抗蚀剂组合物及形成光致抗蚀剂图案的方法
114. 碱和表面活性剂,以及它们在用于微型平板印刷的光致抗蚀剂组合物中的用途
115. 干膜光致抗蚀剂
116. 正型光致抗蚀剂剥离液组合物
117. 用于短波长成像的负性光致抗蚀剂
118. 聚合物和包含聚合物的光致抗蚀剂组合物
119. 生产光致抗蚀剂组合物用成膜树脂的方法
120. 光致抗蚀剂剥离方法
121. 非旋涂方式用正型光致抗蚀剂组合物及抗蚀图形形成方法
122. 用作光致抗蚀剂的具有稠合的4-元杂环的多环基团的氟化单体,氟化聚合物和用于微石印术的方法
123. 用作光致抗蚀剂的氟化聚合物和用于微石印术的方法
124. 用作157纳米微石印术的光致抗蚀剂,氟聚合物和方法
125. 用作光致抗蚀剂的具有带稠合4-元碳环的多环基团的氟化聚合物和用于微石印术的方法
126. 光致抗蚀剂剥离剂组合物
127. 氟化聚合物、光致抗蚀剂和显微平版印刷法
128. 化学增幅型正型光致抗蚀剂组合物
129. 旋涂材料层的平坦化方法及光致抗蚀剂层的制造方法
130. 氰基金刚烷基化合物和聚合物和含有它们的光致抗蚀剂
131. 应用多层光致抗蚀剂层结构的光刻工艺
132. 光致抗蚀共聚物
133. 光致抗蚀剂材料的管路气泡监测装置
134. 可溶于光致抗蚀剂显影液的有机底部抗反射组合物及使用该组合物的光刻和蚀刻方法
135. 正型光致抗蚀剂组合物及抗蚀图案的形成方法
136. LCD制造用正型光致抗蚀剂组合物和抗蚀图的形成方法
137. 烷基化氨基烷基哌嗪表面活性剂及其在光致抗蚀显影剂中的应用
138. 新共聚物及光致抗蚀组合物
139. 光致抗蚀剂显影剂组合物
140. 提高化学增强光致抗蚀剂分辨率的方法
141. 光致抗蚀剂蚀刻中前边界点技术
142. 改进的光致抗蚀剂
143. 厚膜型光致抗蚀剂及其使用方法
144. LCD制造用正型光致抗蚀剂组合物以及抗蚀图形的形成方法
145. 用于光致抗蚀剂的剥离组合物
146. 光致抗蚀剂脱除剂
147. 聚硅氧烷以及含有所述聚硅氧烷的光致抗蚀剂组合物的制备方法
148. 光致抗蚀剂组合物
149. 光致抗蚀剂组合物
150. 正型光致抗蚀剂组合物以及抗蚀图案的形成方法
151. 正型光致抗蚀剂组合物与抗蚀剂图案的形成方法
152. 正性光致抗蚀剂组合物及抗蚀图形的形成方法
153. 含芳香酸抑制剂的光致抗蚀剂剥离剂/清洁剂组合物
154. 排出喷嘴式涂布法用正型光致抗蚀剂组合物以及抗蚀图的形成方法
155. 光致抗蚀剂移除组合物
156. 多层光致抗蚀剂系统
157. 形成无侧叶现象的光致抗蚀剂层的方法
158. 多层光致抗蚀剂系统
159. 光致抗蚀剂组合物及其制备方法
160. 用于多个微型喷嘴涂布机的光致抗蚀剂组合物
161. 排出喷嘴式涂布法用正型光致抗蚀剂组合物以及抗蚀图案的形成方法
162. 用于远紫外光刻的光致抗蚀剂组合物
163. 从基底上去除光致抗蚀剂的方法
164. 光致抗蚀剂层的表面处理方法及光致抗蚀剂层的形成方法
165. 正性光致抗蚀剂和形成光致抗蚀剂的方法
166. 光致抗蚀剂基材及其精制方法、和光致抗蚀剂组合物
167. 蚀刻工艺中用于硬化光致抗蚀剂的方法和组合物
168. 化学增幅型正型光致抗蚀剂组合物
169. 光致抗蚀剂剥离剂
170. 化学放大正性光致抗蚀剂组合物
171. 光致抗蚀剂树脂组合物
172. 监控再生光致抗蚀剂的方法、光致抗蚀剂再生工艺及系统
173. 光致抗蚀剂层的显影方法
174. 化学放大型正性光致抗蚀剂组合物及抗蚀图案的形成方法
175. 化学放大型正性光致抗蚀剂组合物以及形成抗蚀剂图案的方法
176. 半导体制造工艺中去除光致抗蚀剂的方法
177. 与上涂光致抗蚀剂一起使用的涂料组合物
178. 光致抗蚀剂去除用超临界二氧化碳/化学制剂
179. 光致抗蚀剂组合物及其无旋转涂布法、有机层图案制造方法、液晶显示器
180. 光致抗蚀剂的显影方法及显影装置
181. 光致抗蚀剂残渣及聚合物残渣的除去组合物
182. 用于多层光致抗蚀剂干式显影的方法和装置
183. LCD制造用正型光致抗蚀剂组合物和抗蚀图的形成方法
184. 用于从基片上除去光致抗蚀剂和/或蚀刻残留物的组合物及其应用
185. 光致抗蚀剂组合物的制造方法、过滤装置、涂布装置和光致抗蚀剂组合物
186. 利用等离子体选择性地去除涂覆于形成在衬底上的负型光致抗蚀剂上的聚酰亚胺配向层并再利用衬底的方法
187. 化学放大型正型光致抗蚀剂组合物
188. 光致抗蚀剂组合物和抗蚀图案的形成方法
189. 用于将厚膜成像的光致抗蚀剂组合物
190. 在等离子体加工系统中蚀刻时减少光致抗蚀剂变形的方法
191. 光致抗蚀剂图案的形成方法以及修整方法
192. 与外涂的光致抗蚀剂一起使用的涂料组合物
193. 光致抗蚀剂剥离液组合物以及光致抗蚀剂的剥离方法
194. 化学放大型光致抗蚀剂组合物、光致抗蚀剂层层叠体、光致抗蚀剂组合物的制造方法、光致抗蚀图案的制造方法以......
195. 光致抗蚀剂剥离液组合物、图案的制造方法和显示装置
196. 低多分散性可光成像的丙烯酸类聚合物、光致抗蚀剂和微平版印刷法
197. 低多分散性可光成像的聚合物、光致抗蚀剂和微版印刷术
198. 负性光致抗蚀剂组合物
199. 负性光致抗蚀剂组合物
200. 在二氧化碳中制备、沉积、显影和除去的氟化光致抗蚀剂
201. 用于浸渍光刻的聚合物、含有它的光致抗蚀剂组合物、制备半导体器件的方法及半导体器件
202. 在光致抗蚀层中形成图像的方法
203. 光致抗蚀剂用剥离液
204. 含有金属卤化物腐蚀抑制剂的碱性后等离子体蚀刻/灰化残余物去除剂和光致抗蚀剂剥离组合物
205. 光致抗蚀剂剥离用组合物及剥离光致抗蚀剂的方法
206. 正性光致抗蚀剂以及结构体的制造方法
207. 使用化学辅助回流来减小光致抗蚀剂的线缘粗糙度
208. 在光致抗蚀剂层表面内形成凹陷的方法
209. 从半导体基片上去除光致抗蚀剂、蚀刻和/或灰化残留物、或污染物的方法
210. 用于EUV负性光致抗蚀剂的低排气和非-交联聚合物系列
211. 半导体器件的阱光致抗蚀剂图案及其形成方法
212. 高分子化合物、含有该高分子化合物的光致抗蚀剂组合物以及抗蚀图案形成方法
213. 光致抗蚀剂残渣、聚合物残渣除去组合物和残渣除去方法
214. 用于去除透明导电膜及光致抗蚀剂的剥离液组合物
215. 形成光致抗蚀剂图案的方法
216. 使具有面涂层的深紫外线光致抗蚀剂成像的方法及其材料
217. 光致抗蚀剂剥离方法
218. 用于从离子注入的图案化光致抗蚀剂晶片去除底部抗反射涂层的组合物
219. 光致抗蚀剂组合物及利用它制备薄膜晶体管基底的方法
220. 间苯二酚杯芳烃化合物、光致抗蚀剂基材及其组合物
221. 用于蚀刻后去除基片上沉积的光致抗蚀剂和/或牺牲性抗反射物质的组合物和方法
222. 有机防反射涂料聚合物及有机防反射涂料组合物以及形成光致抗蚀剂图案的方法
223. 光致抗蚀剂的去除方法以及半导体元件的制造方法
224. 能量获取分子和光致抗蚀剂技术
225. 使用氟化氩光致抗蚀剂的方法和装置
226. 除去光致抗蚀剂残余物的pH缓冲含水清洁组合物和方法
227. 用于光致抗蚀剂的涂料组合物
228. 用于涂覆光致抗蚀剂材料的装置
229. 与外涂的光致抗蚀剂一起使用的涂料组合物
230. 正型光致抗蚀剂剥离剂组合物
231. 除去光致抗蚀剂和后蚀刻残留物的气体混合物及其应用
232. 金刚烷衍生物、其制造方法以及光致抗蚀剂用感光材料
233. 从蚀刻晶片脱模光致抗蚀剂的方法
234. 光致抗蚀剂剥离装置、再循环光致抗蚀剂剥离剂的方法
235. 用于在光致抗蚀剂图案上涂覆的组合物
236. 深UV用光致抗蚀剂组合物及其方法
237. 光致抗蚀剂涂布液供给装置以及使用该光致抗蚀剂涂布液供给装置的光致抗蚀剂涂布液供给方法和光致抗蚀剂涂布......
238. 使用了两层型防反射膜的光致抗蚀剂图形的形成方法
239. 一种光致抗蚀膜的退除剂
240. 正型干膜光致抗蚀剂
241. 正型干膜光致抗蚀剂和用于制备该光致抗蚀剂的组合物
242. 作为含硅光致抗蚀剂的垫层的低折射指数聚合物
243. 光致抗蚀剂用剥离液以及使用该剥离液的基板处理方法
244. 光致抗蚀剂组合物用的溶解速率改性剂
245. 不含氟化物的离子注入光致抗蚀剂去除用超临界流体组合物
246. 正性干膜光致抗蚀剂以及用于制备该光致抗蚀剂的组合物
247. 用于光致抗蚀剂应用的低活化能溶解改性剂
248. 从基材上除去光致抗蚀剂的非等离子体方法
249. 用于厚的光致抗蚀剂层的可显影底涂组合物
250. 制备稳定的光致抗蚀剂组合物的方法
251. 酞菁类颜料微粒及其制造方法、颜料分散光致抗蚀剂、着色转印材料、滤色器及液晶显示装置
252. 光致抗蚀剂层的重工方法与图案化工艺
253. 用于减少光致抗蚀剂释气效应的技术
254. 缩短光致抗蚀剂涂布流程的方法
255. 制造光致抗蚀剂图案的方法
256. 用于低于200nm的平版印刷的基于金刚烷的分子玻璃光致抗蚀剂
257. 用于光致抗蚀剂组合物的碱溶性聚合物
258. 金属相容的光致抗蚀剂和/或牺牲性抗反射涂层去除组合物
259. 光致抗蚀剂剥离用组合物和剥离方法以及显示装置的制法
260. 光敏化合物和包含该光敏化合物的光致抗蚀剂组合物
261. 干膜光致抗蚀剂及其制备方法
262. 无氟化物的光致抗蚀剂剥离剂或残余物移除清洁组合物及用其清洁微电子基板的方法
263. 含氟化物的光致抗蚀剂剥离剂或残余物移除清洁组合物以及用其清洁微电子基板的方法
264. 光致抗蚀剂涂布设备的元件洁净装置