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晶圆硅片退镀液技术配方

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技术概述



在芯片晶圆硅片加工过程中,需要在晶圆表面镀上一层膜,即交替堆叠多层薄金属(导电)膜和介电(绝缘)膜,实现导电和保护的功能,这层膜非常薄,在镀膜工序中一旦出现不良镀膜时,需要对其进行退镀返工。



晶圆硅片退镀液是一种用于晶圆硅片镀膜不良返工退镀的环保产品;产品由有机酸、促进剂、剥离剂等组成,不含氢氟酸、盐酸、硫酸、硝酸等传统无机强酸,无刺激性气味,对人体较为安全;使用时无酸雾污染、无磷、无重金属污染;产品温和不伤手,无色轻微气味,无酸雾挥发,适合各种氧化膜金属膜退膜,还原镀膜前素材状态;产品常温处理不需加热,不伤基材,不伤硅片高抛光镜面;退膜速度快,速度接近无机强酸退膜速度,材料易得,成本低,使用寿命长。



本环保型晶圆硅片退镀液包含有机酸、络合剂、缓蚀剂以及加速剂,对多种镀层均具有良好的腐蚀脱除效果,同时不损伤基材,便于镀层返工;使用条件为加热50-60℃浸泡或常温浸泡,反应条件温和安全、可反复使用且化学性质稳定。



技术参数



化学成分:氟盐、环保有机酸、铵盐、碱金属酸式盐、缓蚀剂、水等;



外观气味:无色透明液体,轻微气味;



密度:1.00-1.05kg/L;



pH值:2.0-2.5。



性能优势



本环保型晶圆硅片退镀液以氟盐作为氧化剂,配合有机酸、络合剂、缓蚀剂以及加速剂,促进对阳极氧化膜的腐蚀作用,对多种镀层均具有良好的腐蚀脱除效果,速度快,同时使用硫脲作为缓蚀剂,保护基材不受酸性溶液腐蚀,不损伤基材,便于镀层返工;硫脲,一方面能在金属溶液界面上的活性区域发生吸附,使原来在界面活性区域发生的电化学反应受到阻滞,从而降低腐蚀的速度,能够有效保护底材不受酸性溶液腐蚀;另一方面兼具对金属镀层成分的金属离子(尤其铜离子)有强烈络合作用,在一定程度上加快对不良金属镀层的溶解。硫脲在本体系中创造性表现出双重作用—保护底材不受酸性溶液腐蚀、加快对不良金属镀层的溶解;



本退镀液通过氟盐、无毒金属盐及环保有机酸的协同作用,能达到使用盐酸、硝酸和氢氟酸等传统无机强酸快速去除不良镀层的良好效果,对传统盐酸、硝酸和氢氟酸等不环保无机强酸进行了很好的替代,避免了操作过程中会产生酸雾、危害人体健康及污染环境的弊端,具有无刺激性气味、对人体较为安全、使用时无酸雾污染、无磷、无重金属污染、安全环保等诸多优点。



使用方法



1.可将环保型晶圆硅片退镀液加热至50-60℃后,再将需要退镀返工的产品浸没其中,也直接可在常温下进行。将环保型晶圆硅片退镀液加热至50-60℃再进行浸泡可加快退镀速度,常温浸泡不加热也可以达到退镀效果,但退镀时间会延长。常温原液使用,处理时间通常5分钟-1小时不等,不同材质镀膜,退膜时间不同;2.加热使用,或增加空气搅拌,退膜速度更快;3.当退膜速度变慢时,可补充原液或更换槽液。



技术服务:晶圆硅片退镀液配方生产技术280元,包括生产配方、工艺流程、性能指标、使用方法等。

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