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1. 用AlN制作大功率镓砷/铝镓砷激光器非吸收窗口的方法
2. 一种生长室和氮化镓体材料生长方法
3. 形成氮化镓器件和电路中接地通孔的方法
4. 采用干法刻蚀制备氮化镓纳米线阵列的方法
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7. 膜沉积第Ⅲ族氮化物如氮化镓的方法
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10. 用于生长氮化镓的基片、其制法和制备氮化镓基片的方法
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12. 背照射铟镓砷微台面线列或面阵探测器芯片及制备工艺
13. 多元共蒸发制备铟镓锑类多晶薄膜的方法
14. 在纳米棒的氧化锌上生长无支撑的氮化镓纳米晶的方法
15. 一种氮化镓基外延膜的制备方法
16. 镓极性氮化镓缓冲层的生长方法
17. 制作氮化镓半导体元件中劈裂镜面的方法
18. 基于碱土金属硫代镓酸盐的高效磷光体
19. 高纯氧化镓的制备方法
20. 生长低位错非掺杂半绝缘砷化镓单晶的装置
21. 铟镓砷红外探测器
22. 氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED的发光装置
23. 氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体发光装置
24. 氮化镓基LED的发光装置
25. 一种用于砷化镓单晶生长的光学测径装置
26. 磷化镓发光二极管
27. 磷化镓液相外延装置
28. 红色发光磷化镓液相外延舟
29. 砷化镓脑血流量三维成像仪
30. 异质面砷化镓背场太阳能电池
31. 多倍频程砷化镓微波单片集成反射型开关
32. 多倍频程砷化镓微波单片数字、模拟移相器
33. 超宽带砷化镓单片数字、模拟移相器
34. 多倍频程砷化镓微波单片集成矢量调制器
35. 一种用刚玉炉渣低硅铁生产金属镓的装置
36. 直流到50千兆赫低相移多功能砷化镓微波单片电调衰减器
37. 非晶系氮化铝铟镓发光二极管装置
38. 2-3英寸砷化镓定向划线尺
39. 铜铟镓和硒或硫化物太阳能电池
40. 直拉法生长掺镓硅单晶的装置
41. 功率型氮化镓基发光二极管芯片
42. 硅衬底上生长低位错氮化镓的方法
43. 用于制造化合物半导体的高纯度镓的纯化方法
44. 渐变带隙的铟镓砷材料的制备方法
45. 一种多电极氮化镓基半导体器件的制造方法
46. 氮化镓系异质结构光二极体
47. 氮化镓系化合物半导体发光元件及其窗户层结构
48. 碳分母液中金属镓回收后不溶渣处理工艺
49. 一种镍锰镓磁性带材的制备方法
50. 烧结的多晶氮化镓
51. 一种氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物发光二极管的制造方法
52. 高纯度烷基镓的制备
53. 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的低温插入层及制备方法
54. 磷化铟和砷化镓材料的直接键合方法
55. 一种提高氮化镓基材料外延层质量的衬底处理方法
56. 改进氢化物气相外延生长氮化镓结晶膜表面质量的方法
57. 一种镓酸钇基三色荧光材料及其制备方法
58. 一种从砷化镓工业废料中综合回收镓和砷的方法
59. 氮化镓基可见/紫外双色光电探测器
60. 一种无损检测磷化铟与砷化镓基材料直接键合质量的方法
61. 氮化镓外延层的制造方法
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65. 低开启电压砷化镓基新结构异质结双极晶体管结构设计
66. 提高氮化镓光导型紫外光电探测器响应度方法及探测器
67. 导电和绝缘准氮化镓基生长衬底及其低成本的生产技术和工艺
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69. I I I族氮化物半导体晶体的制造方法、基于氮化镓的化合物半导体的制造方法、基于氮化镓化合物半导体、......
70. 超高纯金属镓的制备方法
71. 掺钕钆镓石榴石激光晶体的生长方法
72. 一种用于氮化镓外延生长的复合衬底
73. 薄膜电极、采用它的氮化镓基光学器件及其制备方法
74. 一种高发光效率的氮化镓系列发光二极管及其制造方法
75. 大功率氮化镓基发光二极管的制作方法
76. 高铟组分镓砷/铟镓砷量子阱结构及其制备方法
77. 利用倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法
78. 倒装焊技术制作氮化镓基发光二极管管芯的方法
79. 无掩膜横向外延生长高质量氮化镓
80. 一种无液封合成砷化镓多晶材料的工艺方法
81. 中浓度P型掺杂透射式砷化镓光阴极材料及其制备方法
82. 采用砷化镓基含磷材料的紫外增强光电探测器及制作方法
83. 新型垂直结构的氮化镓基半导体发光二极管及其生产工艺
84. 具有氮化镓基的辐射外延层的发光二极管芯片及制造方法
85. 含镓烟尘的处理方法
86. 一种氮化镓系发光二极管结构及其制造方法
87. 氮化镓透明导电氧化膜欧姆电极的制作方法
88. 双掺铬钕钆镓石榴石自调Q激光晶体的生长方法
89. 双掺铬镱钆镓石榴石自调Q激光晶体及其生长方法
90. 砷化镓单晶的生长方法
91. 两步合成制备掺钕钆镓石榴石单晶原料的方法
92. 氮化镓(GaN)类化合物半导体装置及其制造方法
93. 氮化镓系发光组件及其制造方法
94. 氮化镓系垂直发光二极管结构及其基材与薄膜分离的方法
95. 富镓氮化镓薄膜的制造方法
96. 一种镓酸镧基固体氧化物燃料电池用正极材料的制备方法
97. 氮化镓系发光二极管的结构及其制作方法
98. 氮化镓类化合物半导体装置
99. 氮化镓基Ⅲ-V族化合物半导体发光器件及其制造方法
100. 紫外双波段氮化镓探测器
101. 氮化镓紫外探测器
102. 氮化镓系化合物半导体的外延结构及其制作方法
103. 通过气相外延法制造具有低缺陷密度的氮化镓膜的方法
104. 氮化镓基肖特基结构紫外探测器及制作方法
105. 氮化镓基肖特基势垒高度增强型紫外探测器及制作方法
106. 获得大单晶含镓氮化物的方法的改进
107. 具有无镓层的III族氮化物发光器件
108. 稀土或镓的加成组合物、其制备方法和作为催化剂的用途
109. 氮化镓系化合物半导体发光器件
110. 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件
111. 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件
112. 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件的制造方法
113. 亚稳态岩盐相纳米氮化镓的溶剂热合成制备方法
114. 氮化镓及其化合物半导体的横向外延生长方法
115. 一种氮化镓材料的干法刻蚀方法
116. 氮化镓系发光二极管的结构及其制造方法
117. 局部存在有单晶氮化镓的基底及其制备方法
118. 含去甲基斑蝥酸根(DCA)的铜(Ⅱ)、镓(Ⅲ)及稀土离子(Ln3+)混配配合物......
119. 制备氮化镓单晶薄膜的方法
120. 制造氮化镓半导体发光器件的方法
121. 氮化镓系列化合物半导体元件
122. 氮化镓基发光二极管的垂直组件结构及其制造方法
123. 一种用于砷化镓单晶生长光学测径的方法
124. 氮化镓基Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体LED的发光装置及其制造方法
125. 溶胶－凝胶法制氮化镓纳米多晶薄膜
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129. 氮化镓基发光二极管管芯的制作方法
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131. 用于生长氮化镓的基片、其制法和制备氮化镓基片的方法
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147. 具有低正向电压及低反向电流操作的氮化镓基底的二极管
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155. 氮化镓半导体装置的封装
156. 氮化砷化镓铟系异质场效应晶体管及其制造方法和使用它的发送接收装置
157. 基于氮化镓的装置和制造方法
158. 从砷化镓工业废料中回收镓和砷的方法
159. 固态镓合金汞齐
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163. 氮化镓基紫外-红外双色集成探测器
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165. 氮化镓系发光器件
166. 磁力运动远望图形砷化镓半导体激光近视弱视治疗仪
167. 生长高阻氮化镓外延膜的方法
168. 生长高迁移率氮化镓外延膜的方法
169. 氮化镓高电子迁移率晶体管的结构及制作方法
170. 氮化镓紫外色度探测器及其制作方法
171. 使用基于副Ⅱ族元素硒化物和/或基于硫镓化物的磷光体材料发射输出光的器件与方法
172. 一种锑化镓纳米半导体溶剂热共还原制备方法
173. 一种镓掺杂氧化锌透明导电膜的制备方法
174. 在硅衬底上生长碳化硅\氮化镓材料的方法
175. 铜铟镓硒或铜铟镓硫薄膜太阳能电池吸收层的制备方法
176. 用于铜铟镓硒薄膜太阳能电池的铜镓合金靶及其制备方法
177. 铝铟磷或铝镓铟磷材料大功率半导体激光器及制作方法
178. 块状单晶含镓氮化物制造方法
179. 铝镓氮/氮化镓高电子迁移率晶体管的制作方法
180. 低温生长砷化镓式半导体可饱和吸收镜
181. 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/铂/金的欧姆接触系统
182. 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/铂/金欧姆接触系统
183. 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/镍/金欧姆接触系统
184. 适用于氮化镓器件的钛/铝/钛/铂/金欧姆接触系统
185. 适用于氮化镓器件的铝/钛/铝/钛/金欧姆接触系统
186. 在硅衬底上制备高质量铟镓铝氮材料的方法
187. 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的金属插入层及制备方法
188. 一种氮化镓基高电子迁移率晶体管
189. 氮化镓基发光二极管芯片及其制造方法
190. 氢化物气相外延生长氮化镓膜中的氧化铝掩膜及制备方法
191. 改进砷化镓晶片表面质量的方法
192. PIN结构氮化镓基紫外探测器及其制作方法
193. 氮化镓系发光二极管结构
194. 具有低温成长低电阻值P型接触层的氮化镓系发光二极管
195. 氮化镓系发光二极管的制作方法
196. 氮化镓晶体、同质外延氮化镓基器件及其制造方法
197. 基于氮化镓半导体的紫外线光检测器
198. 具有增强发光亮度的氮化镓发光二极管结构
199.氮化镓多重量子井发光二极管的n型接触层结构
200.氮化镓发光二极管结构
201.氮化镓二极管装置的缓冲层结构
202.氮化镓系发光二极管