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1. 单晶氮化镓基板及其生长方法与制造方法
2. 氮化镓半导体激光器
3. 无氧三烷基镓的制备方法
4. 单晶氮化镓基板，单晶氮化镓长晶方法及单晶氮化镓基板制造方法
5. 谐振腔增强的n型砷化镓远红外探测器的反射镜
6. 一种锌镓氧化物陶瓷靶材及其制备方法和应用
7. 硅酸镓镧晶体的坩埚下降法生长技术
8. 横向外延生长高质量氮化镓薄膜的方法
9. 形成镓砷/铝镓砷激光二极管的非吸收窗口的方法
10. 无可见光干扰读出电路的氮化镓基探测器及制备方法
11. 混合有机镓源选择区域生长铟镓砷磷多量子阱的方法
12. 一种外延生长用蓝宝石衬底的镓原子清洗的方法
13. 射频等离子体分子束外延生长氮化镓的双缓冲层工艺
14. 异质外延生长的氮化镓晶体的位错密度测定方法
15. 锗酸镓锶压电晶体的坩埚下降法生长方法
16. 氮化镓晶体的制造方法
17. 氮化镓层的制备方法
18. 氮化镓类化合物半导体等的干法刻蚀方法
19. 硫镓银多晶体的制备方法与装置
20. 具有基于氮化镓的辐射外延层序列的发光二极管芯片及其制造方法
21. 砷化镓基复合收集区弹道传输异质结双极晶体管
22. 采用多量子阱制备绿光氮化镓基LED外延片
23. 氮化镓荧光体、其制造方法及使用该荧光体的显示装置
24. 磷化铟基磷化铟/铟镓砷锑/磷化铟双异质结双极晶体管
25. 一种吸附镓专用螯合树脂及制备方法
26. 以氮化镓为基底的半导体发光装置
27. 铝酸锂和镓酸锂晶体的生长方法
28. 高线性度砷化镓霍尔器件的制备工艺
29. 在含有非氮化镓柱体的基板上制造氮化镓半导体层,并由此制造氮化镓半导体结构的方法
30. 氮化镓的块状单结晶的制造方法
31. 含镓氮化物块状单结晶在异质基板上的形成法
32. 铈和至少一种选自稀土、过渡金属、铝、镓和锆的其它元素的化合物的胶态水分散体及其制备方法和用途
33. 铟镓砷光电探测器制造的开管锌扩散方法
34. 氮化镓层在蓝宝石基体上的悬挂外延生长
35. 砷化镓表面微波放电钝化膜的自体生长方法
36. 砷化镓及其器件表面钝化保护膜的制备方法
37. 砷化镓场效应(晶体)管沟道温度测试装置
38. 一种从氧化铝生产的分解母液中提取镓的方法
39. 电解—结晶联合法生产高纯镓
40. _具有倒台面支承结构的铟镓砷磷/铟磷隐埋条形质量输运激光器
41. 强碱性铝酸钠溶液中萃取提镓工艺
42. 镓的回收方法
43. 结晶状镓磷酸盐组合物
44. 多层外延砷化镓的双源法和装置
45. 镧系镁混合镓酸盐和使用该镓酸盐单晶的激光器
46. 利用浸渍吸附树脂从拜耳液中提取镓
47. 由三价铥激活的发光镓酸镧和备有它的荧光屏及其阴极射线管
48. 液-液萃取回收镓的方法
49. 高强度弹性电接触钯银铜镓合金
50. 从拜耳液中萃取并提纯镓的方法
51. 单温区开管扩镓生产晶闸管工艺
52. 镓中杂质元素的分析方法
53. 用液体-液体提取法回收镓的方法
54. 适用于开管镓扩散石英管的制造工艺
55. 磷化镓液相外延方法及装置
56. 一种高发光效率的磷化镓外延材料
57. 溶解法自氧化铝生产中回收镓
58. 镓在硅台面管生产中的应用技术
59. 减少磷酸镓压电晶体单元含水量的方法、装置及按此方法生产的晶体单元
60. 通过部分凝固提纯镓的方法
61. 磷化镓发光二极管电极制备工艺
62. 砷化镓／磷化铟异质气相外延技术
63. 一种从含镓渣中提取镓的方法
64. α-二甲胺基环巳氧基-二甲基镓及其类似物的制备方法
65. 从碱液中分离镓的方法
66. 砷化镓衬底上的混合并质外延
67. 含镓的铝硅酸盐型催化剂在每分子具有5～7个碳原子的轻馏分的芳构化反应中的应用
68. 一种开管铝镓扩散工艺
69. 从氧化铝生产过程的循环母液中萃取镓的工艺
70. 铟镓砷光电探测器
71. 铟镓砷光电探测器
72. 牙体充填镓合金材料
73. 低碳链烃芳构化用镓、锌、铂改性HZSM-5催化剂
74. 直拉法生长锑化镓单晶的方法和装置
75. 一种从含镓的钒渣中提取镓的方法
76. 镓铟砷(GaInAs)横向光电晶体管及其集成技术
77. 具有欧姆电极的氮化镓系Ⅲ-Ｖ族化合物半导体器件及其制造方法
78. 砷化镓场效应晶体管沟道温度测试方法
79. 含镓和/或铟的硫化砷锗玻璃
80. 硫化镓玻璃
81. 碳化硅与氮化镓间的缓冲结构及由此得到的半导体器件
82. 一种具有MFI结构含镓沸石的制备方法
83. 用于磷化镓发光元件的外延晶片及磷化镓发光元件
84. 氮化镓序列的复合半导体发光器件
85. 羟基镓酞菁化合物,其制备方法和用这种化合物的电照相感光元件
86. 氮化镓晶体的制造方法
87. 有关氮化镓的化合物半导体器件及其制造方法
88. 带有氮化镓有源层的双异质结发光二极管
89. 一种砷化铟、砷化镓的化学还原制备方法
90. 氮化镓基化合物半导体器件及其制作方法
91. 垂直温梯法生长铝酸锂和镓酸锂晶体
92. 磷化镓绿色发光器件
93. 具有相反转化的控制终点和形状记忆效应的镍锰镓合金
94. 氮化镓结晶的制造方法
95. 氮化镓晶体的制备方法
96. 氮化镓单晶衬底及其制造方法
97. 基于碱土金属、硫和铝、镓或铟的化合物,其制备方法及其作为发光材料的使用
98. 砷化镓、磷化镓衬底干处理方法
99. 光辐射加热金属有机化学汽相淀积氮化镓生长方法与装置
100. 含镓硅酸盐分子筛催化剂的合成方法
101. 具有镧镓硅氧化物单晶基片的声表面波器件
102. 铟镓氮单晶薄膜金属有机物气相外延生长技术
103. 氮化镓系Ⅲ-Ⅴ族化合物半导体器件及其制造方法
104. 具有低位错密度的氮化镓族晶体基底部件及其用途和制法
105. 粉末或烧结形式的LaMO3型化合物,其中M为铝、镓或铟,其制备方法及其作为氧导......
106. 非破坏性定量检测砷化镓单晶化学配比的方法
107. 通过去除衬底来制备铟铝镓氮光发射器
108. 晶片键合的铝镓铟氮结构
109. 直径2英寸非掺<111>磷化镓单晶片抛光工艺
110. 砷化镓单晶衬底及使用该衬底的外延晶片
111. 硅酸镧镓晶片及其制备方法
112. 砷化镓表面清洁方法
113. 氮化镓外延层的制造方法
114. 用于制造化合物半导体的高纯度镓及其纯化方法和装置
115. 一种利用熔盐法生长氮化镓单晶的方法
116. 一种氮化镓单晶的热液生长方法
117. 一种生长氮化镓及其化合物薄膜的方法
118. 通过掩模横向蔓生制作氮化镓半导体层的方法及由此制作的氮化镓半导体结构
119. 一种制备氮化镓基 LED的新方法
120. 氮化镓薄膜制备技术及专用装置
121. 一种用低硅铁生产金属镓的工艺及其装置
122. 从液相外延废液中回收高纯金属镓工艺方法
123. 一种非结晶与多晶结构的氮化镓系化合物半导体的成长方法
124. 氮化镓化合物半导体制造方法
125. 氮化镓陶瓷体的制备方法
126. 制备锑化镓基半导体器件用的化学腐蚀液体系
127. 用于塑封的砷化镓芯片钝化方法
128. 利用始于沟槽侧壁的横向生长来制造氮化镓半导体层
129. 镓酸锂晶体的制备方法
130. 一种多层结构绝缘层上镓化硅材料及制备方法
131. 一种放射性同位素镓－67的制备工艺
132. 基于氮化镓的Ⅲ－Ⅴ族化合物半导体装置及其制造方法
133. 磷化镓发光组件的制造方法以及制造装置
134. 锌和/或镓促进的多金属氧化物催化剂
135. 用横向生长制备氮化镓层
136. 氮化铟镓发光二极管
137. 氮化镓基蓝光发光二极管芯片的制造方法
138. 羟基镓酞菁化合物,其制备方法和用这种化合物的电照相感光元件
139. 一种含镓矿物中镓的提取方法
140. 一种控制氮化镓(GaN)极性的方法
141. 铟镓氮薄膜的快速填埋生长方法
142. 高P型载流子浓度的氮化镓基化合物薄膜的生长方法
143. 生产氮化镓膜半导体的生产设备以及废气净化设备
144. 一种铜铟镓硒薄膜太阳能电池及其制备方法
145. 用于超高密度数据存储器件的铟的硫系化物、镓的硫系化物、和铟－镓硫系化物的相变介质
146. 从刚玉电弧炉冶炼烟尘中提取金属镓的方法
147. 高亮度氮化镓基发光二极管外延片的衬底处理方法
148. 往氮化镓结晶掺杂氧的方法和掺杂氧的n型氮化镓单晶基板
149. 氮化镓荧光体及其制造方法
150. 氮化镓单晶膜的制造方法
151. 激光剥离制备自支撑氮化镓衬底的方法
152. 用于中温燃料电池的掺杂镓酸镧－无机盐复合凝聚态电解质
153. 一种镓含量的测定方法
154. 氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
155. 一种砷化镓PIN二极管及其制作方法
156. 生长氮化镓晶体的方法
157. 一种制造变异势垒氮化镓场效应管的方法
158. 氮化镓系化合物半导体激光元件的制造方法及氮化镓系化合物半导体激光元件
159. 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法
160. 直拉法生长掺镓硅单晶的方法和装置
161. 一种氮化镓基场效应管及其制作方法
162. 一种制作氮化镓基激光器管芯的方法
163. 一种镍锰钴镓高温形状记忆合金及其制备方法
164. 一种镍锰铜镓高温形状记忆合金及其制备方法
165. 宽带隙氮化镓基异质结场效应晶体管结构及制作方法
166. 用于生长平坦半极性氮化镓的技术
167. 自剥离氮化镓衬底材料的制备方法
168. 金刚石上的氮化镓发光装置
169. 氮化镓表面低损伤蚀刻
170. 氮化镓HEMT器件表面钝化及提高器件击穿电压的工艺
171. 透红外镓酸盐玻璃
172. 砷化镓晶片的激光加工方法
173. 柔性铜铟镓硒薄膜太阳电池及其制备方法
174. 平面型铟镓砷红外焦平面探测器及制备方法
175. 铟镓砷台面列阵探测器芯片的台面钝化膜及制备方法
176. P型氮化镓电极的制备方法
177. 一种生产4N金属镓的方法
178. 具有低电流集边效应的金属/氮化镓铝/氮化镓横向肖特基二极管及其制备方法
179. 碱金属镧铋镓酸盐红外光学玻璃及其制备方法
180. 一种氮化镓基发光二极管外延片结构及其制备方法
181. 从镓酸钠溶液中回收硫化钠
182. 一种镓提纯电解废液的净化处理方法
183. 铌酸镓镧系列纳米粉体的制备方法
184. 砷化镓衬底上的多层变形缓冲层的制作方法
185. 提高氮化镓材料载流子迁移率的方法
186. 从水溶液中沉淀镓
187. 特别用于溅射靶、管状阴极等的制造的基于铜-铟-镓合金的镀膜材料
188. 氮化镓基发光二极管芯片及其制作方法
189. 砷化镓/铝镓砷红外量子阱材料峰值响应波长的检测方法
190. 碳化硅层的制造方法、氮化镓半导体器件以及硅衬底
191. 一种在砷化镓衬底上外延生长锑化镓的方法
192. 铟镓砷/铟铝砷耦合量子点红外探测器及其制备方法
193. 一种氮化镓基半导体光电器件的制作方法
194. 氧化镓-氧化锌系溅射靶、透明导电膜的形成方法及透明导电膜
195. 氧化镓-氧化锌系溅射靶、透明导电膜的形成方法及透明导电膜
196. 一种碘镓灯
197. 铝镓氮-锆钛酸铅焦平面探测器
198. 砷化铟和砷化镓的纳米结构及其制作方法
199. 氮化镓基化合物半导体发光器件
200. 钇镓石榴石基陶瓷材料及其制备方法
201. 钨辅助热退火制备氮化镓纳米线的制备方法
202. 高速砷化镓基复合沟道应变高电子迁移率晶体管材料