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| 随着高亮度LED市场的不断扩大，提高产品的产能、效率以及良率成为目前首要问题；在很多小型芯片的过程中，一般情况都是采用金刚石划片刀，利用高速旋转的刀具转动，带动设置于刀具上的刀片对被切割的芯片进行切削动作，实现分离动作；在一些高硬度的芯片切割时，则必须使用激光先行切割开槽，激光烧蚀加工兼顾了效率、合格率及成本上的平衡；但是，随着半导体集成电路特征尺寸不断微缩，在分离动作过程，容易使得芯片表面残留蜡层、脏污以及电路氧化残留物等杂物质，该残留杂质中含有活性氧化成分，该活性氧化成分长期依附于芯片表面，容易导致氧化芯片表面一些物质，在污垢杂质重力作用下甚至很可能驱使所述芯片边缘产生崩边的现象发生。 因此，为了避免激光切割对基底硅片造成损伤的问题，以提高半导体产品的良率和切割的效率，在激光加工前需要在基底表面涂覆保护液形成保护膜，以便能在加工过程中能够很好的保护芯片其他区域抑制LED晶片表面碎片粘附，且在满足蓝宝石、砷化镓、碳化硅以及半导体晶圆等切割保护外，尽可能实现切割道窄小、芯片小型化的要求。 现有技术中提供激光切割保护液后均会在基板表面产生切割道残渣大量碳化残留的问题，严重影污染基板材料，影响其使用。 针对现有技术的不足，本技术所述激光切割保护液解决了现有切割保护液使用后芯片表面碳化残留严重的问题，有助于提升芯片的光电性能。 (1)本技术提供的激光切割保护液通过使用沸点在145℃以上的高沸点溶剂与水共混形成的共沸溶剂，使得到的激光切割保护液使用后可以保证基底材料表面具有较低的碳化残留。 (2)采用本技术提供的激光切割保护液的芯片被切割后，使用纯水即可将所述激光切割保护液形成的保护膜层完全去除，不影响芯片的光电性能。 (3)本技术提供的激光切割保护液还添加有水溶性抗氧剂，可防止其在运输及、存储以及使用过程中变黄，增加了其的保质期。 技术资料费380元，含原料介绍、生产配方、工艺流程、性能指标等。 |
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