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铜钼合金蚀刻液配方铜蚀刻液配方生产技术资料

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薄膜晶体管液晶显示装置(TFT-LCD)的微型电路,是通过一系列曝光显影过程形成的。具体来说,是在基板上形成的包括金属膜/半导体膜/绝缘膜上均匀涂上光刻胶(PR),光照后显影形成图案化光刻胶,再使用干式或湿式蚀刻将没被光刻胶覆盖的部分刻蚀掉,最后通过将PR剥离形成图案化膜层,如此往复也就形成了上述的微型电路。为了减少电信号延迟,其中的金属膜层通常选用具有较低阻值的铜(Cu)。考虑到铜与玻璃膜及半导体层的粘合力(adhesion)不好,同时也为了预防Cu扩散(diffusion)到半导体层,会在其中间镀一层缓冲膜层(Barrier metal),目前备受瞩目的缓冲金属是钼及其合金(例如MoTi等)。为了有效蚀刻这种多层结构金属膜,业界使用比较多的是双氧水系蚀刻液,然而双氧水分解导致蚀刻液使用寿命较短,从而带来使用成本较高,现有的相关技术中通过添加稳定剂来抑制双氧水分解,以提升蚀刻液使用寿命(bath life)与蚀刻均一性。通常来说稳定剂分为两个类型,包括含胺基的化合物以及聚合物类试剂,但是其在Cu/MoTi系蚀刻液体系其效果并不是那么理想。因此开发新型稳定剂对于提升Cu/MoTi系蚀刻液使用寿命具有重要意义。
本蚀刻液,以解决蚀刻液因为氧化剂的分解而导致蚀刻液的使用寿命短的技术问题。
蚀刻液防止因自由基进攻氧化剂而导致其发生分解,从而抑制氧化剂的分解,提升了刻蚀液的使用寿命(bathlife),与现有相关技术中添加了聚合物或胺类化合物作为稳定剂的刻蚀液相比,能够延长刻蚀液的使用寿命至7000ppm,进而极大地降低了生产制造过程中蚀刻液的成本;同时,提升蚀刻均一性和蚀刻稳定性,改善了蚀刻液的刻蚀性能及安全性能。

技术资料费380元,含原料介绍、生产配方、工艺流程、性能指标等。

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