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| 正性光刻胶剥离液配方及应用 Array(阵列)工艺是在玻璃基板上形成TFT阵列的工艺，包括薄膜沉积、曝光、显影、刻蚀和剥离。剥离结束后，会进入Rinse(冲洗)阶段，清洗掉基板表面残留的剥离液。现有的正性光刻胶的剥离液通常含有醇胺、酰胺或醇醚类极性溶剂，这些有机溶剂均易吸水，致使剥离液在存储、运输及使用时水分逐渐升高。醇胺类有机溶剂遇水会分解，析出大量氢氧根离子，光刻胶剥离时，药液中的氢氧根离子会对金属层造成腐蚀；同时醇胺分解意味着药液中胺含量下降，进一步导致药液对光刻胶剥离能力的下降，影响药液寿命及使用周期。 本技术提出了一种能够去除剥离液水分，且不腐蚀金属层的正性光刻胶剥离液组合物及应用。 (1)本正性光刻胶剥离液组合物中的异氰酸酯化合物和硅烷类化合物可以去除醇胺、酰胺或醇醚类极性溶剂在存储、运输及使用过程中吸收的水分，保证试剂中的有效成分，在剥离光刻胶的同时防止药液对金属的腐蚀。异氰酸酯化合物除水机理：-N＝C＝O结构与药液中水反应而除去水，生成的-[NH-CO-NH-CO]n-聚合物参与形成在金属表面的保护膜，阻止药液对金属的腐蚀；硅烷类化合物除水机理：Si-O结构与药液中水反应而除去水，生成的-(Si-O-Si)n-聚合物可在金属层表面形成保护膜，阻止药液对金属的腐蚀。 (2)本正性光刻胶剥离液组合物中的腐蚀抑制剂为盐类，本身稳定且在药液中不会分解，在保证药液良好的剥离性能前提下可有效抑制水洗时金属的腐蚀。 用于半导体化合物光刻胶的剥离剂制备方法及用途 随着半导体材料不断发展，传统硅半导体由于其自身局限性与摩尔定律的限制，需寻找新的半导体材料。以砷化镓(GaAs) 、磷化铟(InP) 和氮化镓(GaN) 等为主的三五族化合物材料具有更大的禁带宽度和电子迁移率等特性，可以满足现代电子技术对高温、高频和抗辐射等条件的新要求。在射频、光电和功率器件应用领域中，三五族化合物扮演着无可替代的角色，成为半导体材料发展的前沿科技。 由于三五族化合物材料的特殊性，使用以单乙醇胺/N-甲基吡咯烷酮体系对能抑制Si半导体器件中Si衬底和Al线的腐蚀，但是对于由GaAs等制成的化合物半导体器件，耐腐蚀的效果不理想。链烷醇胺会络合（攻击）暴露GaAs导致其缓慢腐蚀（蚀刻）。因此，将该光致抗蚀剂剥离剂组合物用作半导体器件抗蚀剂或抗蚀剂残留物的剥离剂是不现实的。 本技术的目的在于，针对目前光致抗蚀剂剥离剂组合物不适用半导体器件抗蚀剂或抗蚀剂残留物的剥离剂的问题，提出一种用于半导体化合物光刻胶的剥离剂，该剥离剂具有优异的剥离能力，在能有效的去除光刻胶的基础上，抑制对GaAs等三五族化合物的腐蚀，本技术剥离剂在半导体化合物芯片清洗领域具有非常良好的应用前景和大规模工业化推广潜力。 1、本光刻胶剥离剂使用了两种有机胺混合，首先两种有机胺在溶液中由于空间位阻的作用可以降低NH4+基团与GaAs等三五族化合物的络合作用，同时两种有机胺通过氢键连接形成大分子化合物，同样可以减弱络合作用，所以本技术剥离剂能在保证去胶能力的情况下，对三五族半导体二元化合物如GaAs、GaN、InP等，三元化合物如GaAsAl、GaAsP等，四元化合物InGaAsP、AlGaInP等材料，特别是GaAs有很好的保护效果，能够抑制其腐蚀，减弱对GaAs等三五族化合物的腐蚀。 2、本技术使用环状、链状有机溶剂复配使用，链状有机溶剂渗透至光刻胶与基材之间剥离光刻胶的同时，环状有机溶剂可以溶胀光刻胶，使得有机胺更容易与光刻胶接触，增大接触面积，大大提升了光刻胶的剥离效率。 3、本技术使用的尿苷类缓蚀剂，其本身含有较多的N原子，N原子上的孤对电子会在GaAs表面形成一层保护膜，防止在去胶的过程中有机碱络合腐蚀GaAs，并且尿苷本身有较多的羟基，带有一定的还原性，可以防止GaAs被氧化腐蚀。 因此，本光刻胶的剥离剂在半导体化合物芯片清洗领域具有非常良好的应用前景和大规模工业化推广潜力。 技术资料费380元，含原料介绍、生产配方、工艺流程、性能指标等。 |
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